HBM 仿真 VIP

8H 和 12H 堆栈

• 伪通道模式 8H 配置 - 8Gb、12Gb 和 16 Gb
• 伪通道模式 12H 配置 - 12Gb、18Gb 和 24Gb

行和列的宽度

• 通过额外的 CA8 和 RA6 行和列引脚支持更高密度的 HBM2E 配置

I/O 信号和总线

• 所有的 I/O 信号（包括 RD、RR 和 RC）都由 HBM 支持

时钟和复位

• 差分时钟输入 (CK_t/CK_c) 和有效低电平复位线路 (reset_n)

命令解码

• 模式寄存器集合
• 单个 Bank、所有 Bank 预充电
• 刷新单个 Bank、刷新所有 Bank
• 复位，激活
• 读/写，带自动预充电读/写
• 掉电进入，自刷新进入，掉电/自我刷新退出

初始化

• 具有所有时序检查的初始化序列（也是 IEEE 1500 稳定电源初始化）。可以跳过初始化

SID

• 堆栈 ID (SID) 在命令执行过程中充当 bank 地址位

纠错代码

• 支持 ECC，每数据字节一比特；HBM 模型不计算任何 ECC。当启用写入或读取 DQ 奇偶校验功能时，ECC 位不包括在奇偶校验计算中

数据掩码和数据总线翻转

• 总线上的数据在读写时可以翻转，以节省功耗；数据掩码和数据总线翻转功能都可以通过模式寄存器来设置

C/A 和数据奇偶校验

• 在执行前检查每个命令的 C/A 奇偶校验，对每个写入数据字（DQ、DM、DBI）进行写入奇偶校验，对每个读取数据字生成读取奇偶校验

目标行刷新模式

• 刷新与遇到 MAC 限制的 TRn 相邻的行；在一个 bank 中，可能有一个或两个 target 行与一个 victim 行相关

IEEE 1500/DFT

使用 IEEE 1500 接口功能的 HBM DFT 支持：

• LFSR、AWORD 和 DWORD MISR
• LFSR 比较（粘性位）
• 硬通道修复和软通道修复
• Extest TX 和 Extest RX
• 设备 ID 和温度指示
• 模式寄存器转储设置
• 用户可配置的 MBIST 寄存器
• 回环测试模式
• 支持主机和 HBM 设备之间的 DFT 和训练

回环测试模式

• 使用回环模式功能的 HBM DFT 支持

软通道修复和硬通道修复

• 互连通道重映射，帮助恢复 HBM 堆栈的功能
• 每个通道独立的通道重映射
• 即使当电源从堆栈移除时，也会保留重新映射的通道信息
• 除了 CK_t、Ck_c、CKE 和 AERR，其他所有的 I/O 都可以使用 AWORD 和 DWORD 重映射

DWORD 修复模式

DWORD 重映射的两种修复模式：

• 在模式 1 中，允许每个字节重新映射一个通道；在这种模式下没有分配多余的引脚，而且只有该字节失去了 DBI 功能，但是只要 DBI 功能的模式寄存器设置为启用，其他字节会继续支持 DBI 功能
• 在模式 2 中，允许每个双字节重新映射一个通道；在这种模式下，每个双字节分配一个冗余引脚 (RD)，保留 DBI 功能

RD、RC 和 RR

• 为 AWORD 修复功能支持冗余行、列值，为 DWORD 修复功能支持冗余数据（4 位）值

数据宽度

• 128 位宽的数据总线
• 伪通道模式，每个伪通道有 64 位数据
• 命令和数据阶段的 DDR

差分 CK、RDQS 和 WDQS

• 差分时钟和数据，引用到选通 RDQS_t/RDQS_c 和 WDQS_t/WDQS_c
• 每个 DWORD 有 1 个选通对
• 每个伪通道的读写选通同时被驱动和读取

Bank 组

• 对相同和不同 bank 组与 back-to-back 访问相关的概念和时序进行建模

刷新

• 所有 bank、每个 bank 和自刷新；刷新时间检查；支持正常模式刷新、自刷新、温度控制器自刷新

Cattrip 和 Temp 引脚

• HBM cattrip 和 Temp 引脚功能支持温控刷新和灾难性温度传感器